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微电子&集成电路文献翻译
在不使用外延层的同轴半绝缘衬底材料上制作4H-SIC横向双重注入金属氧化物半导体场效应晶体管
在不使用外延层的同轴半绝缘衬底材料上制作4H-SIC横向双重注入金属氧化物半导体场效应晶体管 杂志:日本应用物 […]
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